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    Si, Al, Al plus TiN sowie IrO¶2¶ werden als Adhäsionsschichten verwendet, um ein Ablösen von Edelmetall-Elektroden, wie Pt, von einem Siliziumdioxid-(SiO¶2¶)-Substrat in Kondensatorstrukturen von Speicherbauelementen zu verhindern.
    公开号:DE102004016963A1
    申请号:DE200410016963
    申请日:2004-04-06
    公开日:2004-11-18
    发明作者:Jenny Dr. Lian；Young Limb；Nicolas Dr. Nagel；Michael L. Wise；Kwong Hon Wong
    申请人:Infineon Technologies AG；International Business Machines Corp；
    IPC主号:B32B9-04
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft Speicherbauelemente für integrierteSchaltkreise (IC) und insbesondere das Einbeziehen einer oder mehrererdünnerSchichten, wie Si, Al, IrO2 oder Al plusTiN, als Adhäsionsschichtzwischen einer Edelmetallschicht wie Pt und einer Siliziumdioxid-Schicht(SiO2-Schicht)zur Bildung der Elektrode fürAnwendungen von dynamischen Speichern für wahlfreien Zugriff (DRAM)mit hoher Dielektrizitätskonstante(hohem k) und von Speichern fürwahlfreien Zugriff mit Ferroelektrikum (FRAM).
    [0002] Kondensatorenmit Materialien mit einem Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante(hohem k) werden zunehmend in Bauelementen hoher Dichte verwendet.Diese Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante, die in DRAM-Bauelementenverwendet werden, werden im Allgemeinen in einer oxidierenden Umgebungbei hoher Temperatur gebildet, ebenso wie ferroelektrische Materialien,die in FRAM-Bauelementen verwendet werden. Um die Oxidation derElektroden bei diesen hohen Temperaturen zu vermeiden, werden bei solchenDielektrika Edelmetall-Elektroden eingesetzt. In der Regel werdenwegen ihrer hervorragenden Oxidationsbeständigkeit und hohen AustrittsarbeitPlatin-Elektroden (Pt-Elektroden) für die Kondensatoren mit Dielektrikummit hoher Dielektrizitätskonstantein DRAM-Bauelementenund fürFRAM-Bauelementen verwendet. Pt haftet jedoch schlecht an Siliziumdioxidund führtzum Ablösendes Pt bei verschiedenen Verfahrensschritten beispielsweise während derAusbildung des Kondensators und während der folgenden nachgeordnetenVerarbeitungsprozesse (BEOL-Prozesse; BEOL = Back End of Line).Um das Ablösenzu verhindern, kann eine vermittelnde Adhäsionsschicht zwischen den Pt-und SiO2-Schichteneingefügtwerden. Zu den momentan verwendeten Adhäsionsschichten gehören Ti,TaSiN oder TiN.
    [0003] Obwohldiese Materialien die Adhäsionzwischen den Pt- und SiO2-Schichten in demZustand unmittelbar nach dem Abscheiden verbessern können, istnach dem folgenden Schritt des Ausheizens, der in der Regel beieiner Temperatur von 500 bis 580 °Cin einer Sauerstoffumgebung erfolgt, ein Aufrauhen der Pt-Oberfläche oderein lokales Ablösenbeobachtet worden. Wenn zudem dielektrische Schichten mit hoher Dielektrizitätskonstanteund ferroelektrische Schichten bei Temperaturen unter 500 °C abgeschiedenwerden, weisen die Schichten eine verschlechterte Qualität des Filmsmit verringerter Kapazitätauf, wodurch sich die Eigenschaften des Bauelements verschlechtern.
    [0004] Daherist es erwünscht,eine verbesserte Adhäsionsschichtzwischen den Edelmetall-Elektroden und den SiO2-Schichtenzur Verfügungzu stellen. Es ist auch erwünscht,eine Adhäsionsschichtzur Verfügungzu stellen, die das Ablösender Edelmetall-Elektroden der Kondensatorstrukturen verhindert.
    [0005] Dievorliegende Erfindung stellt eine oder mehrere Adhäsionsschichtenzur Verfügung,die ein Ablösen derPt-Elektrode von dem SiO2 verhindern. Zusolchen Schichten gehörenIrO2, Si, Al oder Al plus TiN als Adhäsionsschicht.
    [0006] Gemäß einemAspekt der Erfindung wird in einer Halbleiter-Kondensatorstruktur, die auf einem Siliziumdioxid-(SiO2)-Substratgebildet ist und eine Edelmetall-Elektrode aufweist, eine Adhäsionsschichtzwischen der Elektrode und dem SiO2-Substrat angeordnet.Die Adhäsionsschichtist ausgewähltaus einer Gruppe bestehend aus Silizium (Si), Aluminium (Al), Aluminium(Al) plus Titannitrid (TiN) sowie Iridiumoxid (IrO2).
    [0007] Gemäß einemweiteren Aspekt der Erfindung ist eine Adhäsionsschicht aus einer Gruppebestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2 ausgewählt undist zwischen einer Edelmetallschicht und einer Siliziumdioxidschichtangeordnet.
    [0008] Gemäß einemweiteren Aspekt der Erfindung wird eine Kondensatorstruktur mithoher Dielektrizitätskonstante(hohem k) gefertigt. Eine Adhäsionsschichtwird auf einem SiO2-Substrat abgeschieden.Die Adhäsionsschichtist aus einer Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2 ausgewählt.Eine untere Elektrode aus einem Edelmetall wird auf der Adhäsionsschichtabgeschieden.
    [0009] Gemäß diesemAspekt der Erfindung wird ein dielektrisches Material mit hoherDielektrizitätskonstante aufder unteren Elektrode abgeschieden. Eine obere Elektrode wird aufder dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstanteabgeschieden, und die obere Elektrode und das Dielektrikum mit hoherDielektrizitätskonstantewerden strukturiert. Darauf wird eine Isolationsschicht abgeschieden,und in der Isolationsschicht werden Vias geöffnet. Eine Pad-Metallschichtwird in den Vias und überder Isolationsschicht abgeschieden, und die Pad-Metallschicht wirdstrukturiert.
    [0010] Gemäß einemweiteren Aspekt der Erfindung wird eine dreidimensionale Kondensatorstrukturgefertigt. Eine Siliziumdioxidschicht wird auf einem Substrat abgeschieden,und in der Siliziumdioxidschicht werden Vias geöffnet. Polykristallines Siliziumwird in den Vias abgeschieden, und das polykristalline Siliziumwird planarisiert und zurückgenommen,um Poly-Kontaktein den Vias zu bilden. Eine Barrierenschicht wird in den Vias abgeschieden,und die Barrierenschicht wird planarisiert. Eine Adhäsionsschichtwird überder Barrierenschicht und der SiO2-Schichtabgeschieden. Die Adhäsionsschichtist ausgewähltaus einer Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2. Eine untere Elektrode aus Edelmetall wirdauf der Adhäsionsschichtabgeschieden.
    [0011] Diegenannten und anderen Gegenstände,Aspekte und Vorteile werden durch die folgende detaillierte Beschreibungder Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert, indenen:
    [0012] 1 eine graphische Darstellungist, die Daten einer Röntgenbeugungsanalyseveranschaulicht und die Stabilitätvon IrO2 bei Temperaturen bis zu 750 °C zeigt.
    [0013] 2 ist eine Querschnittsansicht,die eine planare Kondensatorstruktur eines Bauelements gemäß einerAusführungsformder Erfindung zeigt.
    [0014] 3 ist eine Querschnittsansicht,die eine erste dreidimensionale Kondensatorstruktur eines Bauelementsgemäß eineranderen Ausführungsformder Erfindung zeigt.
    [0015] 4 ist eine Querschnittsansicht,die eine zweite dreidimensionale Kondensatorstruktur eines Bauelementsgemäß einerweiteren Ausführungsformder Erfindung zeigt.
    [0016] DieErfindung betrifft die Verwendung von einer oder mehreren Schichten,wie IrO2, Si sowie Al plus TiN, die dieAdhäsionzwischen einer Elektrodenschicht und einer SiO2-Schichtverbessern.
    [0017] IrO2 hat beispielsweise eine gute Adhäsion anSiliziumdioxid, was aufgrund seiner Art der Sauerstoffbindung vorhergesagtwerden kann. IrO2 bleibt bis zu 750 °C stabil,wenn es einer Sauerstoffumgebung ausgesetzt wird, wie in 1 gezeigt ist. Überdiesist polykristallines IrO2 leitfähig undkann als Teil der Elektrode dienen.
    [0018] Alternativkönnendünne Si-oder Al-Schichten eine gleichförmigedünne Siliziumdioxid-oder Aluminiumoxidschicht unter einer Pt-Elektrode bilden, um dieAdhäsionan Pt an der SiO2-Schicht zu verbessern, ohne die Qualität des dielektrischenFilms auf dem Pt zu verringern.
    [0019] Tabelle1 zeigt die Adhäsionseigenschaftenverschiedener Materialien, nachdem sie fünf Minuten einer Sauerstoffumgebungbei 640 °Causgesetzt waren. Proben mit einer bekannten chemisch aus der Gasphaseabgeschieden (CVD) TiN-Adhäsionsschichtkonnten nicht getestet werden, da ihre Adhäsion weniger als 0,16 betrug.Proben mit bekannten Ti- oder TaSiN-Adhäsionsschichtenhatten gegenüberchemischer oder physikalischer Abscheidung aus der Gasphase verbesserteAdhäsion,waren jedoch wegen der Verschlechterung der dielektrischen Schichtauf einer Pt/Ti- oder TaSiN/SiO2-Strukturnicht geeignet. Bessere oder mindestens vergleichbare Adhäsion wurdefür Probenmit einer polykristallinen Si-, Al- oder Al plus Ti-Adhäsionsschichtder Erfindung erhalten.
    [0020] Umdie Adhäsionzu testen, wurde eine planare Kondensatorstruktur wie in 2 gezeigt hergestellt, indemzuerst eine Adhäsionsschicht 21 aufeiner SiO2-Schicht oben auf einem Substrat(nicht gezeigt) abgeschieden wurde. Die Adhäsionsschicht ist vorzugsweiseSi, Al, Al plus Ti oder IrO2. Dann wirdeine untere Pt-Elektrode 23 oben auf der Adhäsionsschicht 21 abgeschieden.Ein Dielektrikum 24 mit hoher Die lektrizitätskonstantewird dann oben auf der Adhäsionsschichtabgeschieden, und eine obere Elektrode 25 (Pt) wird daraufabgeschieden. Das Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstantekann ein (Ba, Sr)TiO3-(BST)-Material sein.Die obere Elektrode 25 und das Dielektrikum 24 mithoher Dielektrizitätskonstantewerden danach strukturiert, und eine Isolations-(SiO2)-Schicht 26 wirddanach überdieser Struktur abgeschieden. Dann werden in dem SiO2 Viasgeöffnet,und eine Pad-Metallschicht 27 wie Al oder W wird in undauf den Vias abgeschieden und dann strukturiert.
    [0021] Ergebnisseelektrischer Tests unter Verwendung der planaren Kondensatorstruktur,die in 2 gezeigt ist,zeigen im Wesentlichen keine Veränderungder Kapazitätder dielektrischen Schicht, wenn eine Adhäsionsschicht aus Poly-Si verwendetwird, wie Tabelle 2 zeigt.
    [0022] Dieerfindungsgemäßen Adhäsionsschichtenkönnenin einem beliebigen Integrationsschema verwendet werden, bei demAdhäsionder Elektrode an der SiO2-Schicht von Bedeutungist. Ohne dass der Umfang der Erfindung eingeschränkt wird,werden nun zwei Beispiele unter Verwendung von dreidimensionalenKondensatorstrukturen auf Bauelementen für eine DRAM-Anwendung beschrieben.
    [0023] In 3 ist eine SiO2-Schicht 31 aufeinem Substrat fürein Bauelement (nicht gezeigt) ausgebildet. In der SiO2- Schicht 31 werdenVias geöffnet,und eine polykristalline Si-Schicht 32 wirdauf dem SiO2 und in die Vias hinein abgeschieden.Das polykristalline Si wird unter Verwendung eines chemisch-mechanischenPolier-(CMP)-Verfahrens planarisiert, um jegliches Material über derSiO2-Schicht zu entfernen, und das Polysiliziumwird dann zurückgenommen,was Poly-Kontakte in den Vias zwischen der Oberfläche derSiO2-Schicht zurücklässt. Als nächstes wird eine Barrierenschicht 33 obenauf der SiO2-Schicht und den Poly-Kontaktenabgeschieden, und die Barrierenschicht wird in gleicher Weise einemCMP-Verfahren unterzogen. Dann wird eine Adhäsionsschicht 34 abgeschieden,und eine untere Pt-Elektrode 35 wird oben auf der Adhäsionsschichtabgeschieden. Falls eine leitfähigeAdhäsionsschichtverwendet wird, wie IrO2, wird die untereElektrode direkt auf der Adhäsionsschichtabgeschieden. Falls alternativ eine nicht-leitfähige Adhäsionsschicht verwendet wird, wirdder Teil der Adhäsionsschicht,der sich überder Barrierenschicht befindet, entfernt, und danach wird die untereElektrode 35 abgeschieden. Danach wird die Schicht derunteren Elektrode strukturiert, um eine dreidimensionale Struktur(nicht gezeigt) auszubilden. Ein Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante,wie ein BST, wird dann abgeschieden und mit einer Pt-Schicht eineroberen Elektrode bedeckt, um die Kondensatorstruktur zu bilden.
    [0024] Einealternative dreidimensionale Struktur ist in 4 gezeigt. Zuerst wird eine SiO2-Schicht 41 auf einem Substratfür einBauelement (nicht gezeigt) abgeschieden. Dann werden in der SiO2-Schicht Vias geöffnet, und eine polykristallineSi-Schicht 42 wird in den Vias und über dem SiO2 ausgebildet.Das polykristalline Si wird dann unter Verwendung eines CMP-Verfahrens planarisiertund ausgenommen, wodurch Poly-Kontaktein den Vias zurückbleiben.Als nächsteswird eine Barrierenschicht 43 abgeschieden und einem CMP-Verfahrenunterzogen. Eine SiO2-Schicht 44 wirdabgeschieden und danach strukturiert, um eine dreidimensionale Strukturzu bilden, und eine Adhäsionsschicht 45 wirddarauf abgeschieden. Eine untere (Pt)-Elektrode 46 wird direktauf der Adhäsionsschichtabgeschieden, wenn die Adhäsionsschichtleitfähigist, wie wenn IrO2 verwendet wird. Alternativwird die Adhäsionsschichtin den Bereichen oberhalb der Barrierenschicht 43 entfernt,und die untere Elektrode wird danach abgeschieden. Der obere planareTeil der unteren Elektrode 46 wird dann entfernt (nichtgezeigt), und ein Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante,wie BST, wird abgeschieden und mit einer Pt-Schicht bedeckt, umKondensatoren zu bilden.
    [0025] Obwohldie Erfindung in Form bevorzugter Ausführungsformen beschrieben wordenist, werden Fachleute erkennen, dass die Erfindung mit Modifikationinnerhalb des Geistes und Umfangs der angefügten Ansprüche durchgeführt werdenkann.
    权利要求:
    Claims (22)
    [1] Adhäsionsschicht,die ausgewähltist aus der Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2 und die zwischen einer Edelmetallschichtund einer Siliziumdioxidschicht angeordnet ist.
    [2] Adhäsionsschichtnach Anspruch 1, bei der die Edelmetallschicht Pt ist.
    [3] Adhäsionsschichtnach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei der die Edelmetallschicht eineElektrode ist, die einen Kondensator mit Dielektrikum mit hoherDielektrizitätskonstanteverwendet.
    [4] Adhäsionsschichtnach Anspruch 3, bei der der Kondensator Teil eines Speicherbauelementsist.
    [5] Halbleiterkondensatorstruktur, die auf einem Siliziumdioxid-Substratgebildet ist und eine Edelmetall-Elektrodeaufweist, die eine Adhäsionsschichtumfasst, die zwischen der Elektrode und dem Siliziumdioxidsubstratangeordnet ist, wobei die Adhäsionsschichtausgewähltist aus der Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2.
    [6] Halbleiterkondensatorstruktur nach Anspruch 5, beider die Edelmetall-Elektrode Pt ist.
    [7] Halbleiterkondensatorstruktur nach Anspruch 5 oder6, bei der die Kondensatorstruktur Teil eines Speicherbauelementsist.
    [8] Verfahren zur Fertigung einer Kondensatorstrukturmit hoher Dielektrizitätskonstante,umfassend: Abscheiden einer Adhäsionsschicht auf einem Siliziumdioxidsubstrat,wobei die Adhäsionsschichtausgewählt istaus der Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2; und Abscheiden einer unteren Edelmetall-Elektrodeauf der Adhäsionsschicht.
    [9] Verfahren nach Anspruch 8, zusätzlich umfassend: Abscheideneines dielektrischen Materials mit hoher Dielektrizitätskonstanteauf der unteren Elektrode; Abscheiden einer oberen Elektrodeauf der dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante; Strukturierender oberen Elektrode und der dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante; Abscheideneiner Isolationsschicht darauf; Öffnen von Vias zu der oberenElektrode in der Isolationsschicht; Abscheiden einer Pad-Metallschichtin den Vias und überder Isolationsschicht; und Strukturieren der Pad-Metallschicht.
    [10] Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem die untereElektrode Pt ist.
    [11] Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die obere ElektrodePt ist.
    [12] Verfahren nach Anspruch 9 oder 11, bei dem die IsolationsschichtSiO2 ist.
    [13] Verfahren nach einem der Ansprüche 9, 11 und 12, bei dem diePad-Metallschicht Al oder W ist.
    [14] Verfahren zur Fertigung einer dreidimensionalenKondensatorstruktur, umfassend die Schritte: Abscheiden einerSiO2-Schicht auf einem Substrat; Öffnen vonVias in der SiO2-Schicht; Abscheidenvon polykristallinem Si in die Vias; Planarisieren und Zurücknehmendes polykristallinen Si, um Poly-Kontakte in den Vias auszubilden; Abscheideneiner Barrierenschicht in den Vias über den Poly-Kontakten; Planarisierender Barrierenschicht; Abscheiden einer Adhäsionsschicht über derBarrierenschicht und den SiO2-Schichten,wobei die Adhäsionsschichtaus der Gruppe bestehend aus Si, Al, Al plus TiN sowie IrO2 ausgewähltist, und Abscheiden einer unteren Edelmetall-Elektrode aufder Adhäsionsschicht.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die Adhäsionsschichtleitfähigist.
    [16] Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem dieAdhäsionsschichtIrO2 ist.
    [17] Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die Adhäsionsschichteine nicht leitfähigeSchicht ist und das zusätzlichumfasst: Entfernen eines Teil der Adhäsionsschicht, der sich oberhalbder Barrierenschicht befindet, bevor die untere Elektrode abgeschiedenwird.
    [18] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, bei dem dieuntere Elektrode Pt ist.
    [19] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, das zusätzlich umfasst: Strukturierender unteren Elektrode unter Bildung einer dreidimensionalen Struktur; Abscheideneiner dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstantedarauf; und Abscheiden einer oberen Elektrode auf der dielektrischenSchicht mit hoher Dielektrizitätskonstante.
    [20] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, das zusätzlich umfasst: Abscheidenund Strukturieren einer SiO2-Schicht, umeine dreidimensionale Struktur auszubilden, vor dem Abscheiden derAdhäsionsschicht.
    [21] Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, das zusätzlich umfasst: Entferneneines oberen planaren Teils der unteren Elektrode; Abscheideneiner dielektrischen Schicht mit hoher Dielektrizitätskonstante;und Abscheiden einer oberen Elektrode.
    [22] Verfahren nach Ansprüchen 19 oder 21, bei dem dieuntere und obere Elektrode Pt sind.
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    引用文献:
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    法律状态:
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